[8a-N403-1~10] 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

9:00 AM - 9:15 AM JST(12:00 AM - 12:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[8a-N403-1] Surface characterization of bottoms of Si trenches fabricated by wet processes

〇Shiika Murase¹, Tomiki Higashi¹, Kouji Inagaki¹, Kenta Arima¹ (1.UOsaka)

Keywords:

Metal-Assisted Chemical Etching,X-ray Photoelectron Spectroscopy,Silicon microfabrication

近年の半導体素子では、高アスペクト比な三次元構造を用いた性能向上が図られており、狭小な隙間での新たな表面評価法の開発が喫緊の課題である。我々は、高アスペクト比構造の底部に異種物質を埋め込む試料作製技術と、角度分解Ｘ線光電子分光法を組み合わせ、底部の表面状態を非破壊で調べる独自の手法を研究している．本稿では、Siトレンチ構造に対し、上記の手法を用いて、底部Siの表面評価を行った結果について述べる。