[8a-N403-1~10] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

9:00 〜 9:15奨励賞エントリー

[8a-N403-1] ウェットプロセスで形成した Si トレンチ構造底部の表面状態の観測

〇村瀬 詩花¹、東 知樹¹、稲垣 耕司¹、有馬 健太¹ (1.阪大院工)

キーワード：

金属アシストエッチング、X線光電子分光法、シリコン微細加工

近年の半導体素子では、高アスペクト比な三次元構造を用いた性能向上が図られており、狭小な隙間での新たな表面評価法の開発が喫緊の課題である。我々は、高アスペクト比構造の底部に異種物質を埋め込む試料作製技術と、角度分解Ｘ線光電子分光法を組み合わせ、底部の表面状態を非破壊で調べる独自の手法を研究している．本稿では、Siトレンチ構造に対し、上記の手法を用いて、底部Siの表面評価を行った結果について述べる。