[8a-N403-1~10] 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

10:00 AM - 10:15 AM JST(1:00 AM - 1:15 AM UTC)

[8a-N403-5] Experimental approaches to evaluating the fracture strength of ultra-thin Silicon dies

〇Kazushiro Nomura¹, Yuma Yamashita¹, Yoshiki Abe¹, Kenichi Oohashi¹, Fumiyoshi Kawashiro¹, Takamitsu Noda¹ (1.Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)

Keywords:

Fracture Strength Evaluation,Ultra-thin Silicon Dies

3次元LSIの高性能化や低耐圧MOSFETのオン抵抗低減の観点からSiチップの薄化要求が高まっており、現在では厚さ50 µm以下の極薄Siチップの開発が進んでいる。これらはプロセス中や信頼性試験時に割れやすく、抗折強度の管理が重要である。このような背景を踏まえ、本研究では極薄Siチップに対してカンチレバー曲げ試験および3点曲げ試験を実施し、試験条件が抗折強度に与える影響を実験的に検討したので、その結果を報告する。