[8p-N105-1~8] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

3:00 PM - 3:15 PM JST(6:00 AM - 6:15 AM UTC)

[8p-N105-7] Influence of Annealing Atmosphere on Property of Nitrogen Doped ZnO Films

〇Yumika Yamada^1,2, Haruki Ohmori², Abrarul Haque², Shuhei Funaki², Yasuji Yamada² (1.Kobelco Res. Inst. Inc., 2.Shimane Univ.)

Keywords:

ZnO,Nitrogen Dope,Annealing

ZnOはGaやAlなどのドーパントの添加によりドナー性欠陥が生成し、n型導電性の制御が容易である。しかし、p型導電性については、自己補償効果によりアクセプター性欠陥が打ち消されてしまうため、制御が困難である。ZnO系膜はアニール雰囲気や温度が特性に大きく寄与することが知られていることから、本研究では、雰囲気や温度といったアニール条件がN添加ZnO膜に及ぼす影響を明らかにするため、O₂およびN₂雰囲気のアニール温度依存性を評価した。