[8p-N301-1~19] 15.4 III-V-group nitride crystals

6:15 PM - 6:30 PM JST(9:15 AM - 9:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[8p-N301-18] Reducing device resistance for higher efficiency of GaN-based vertical-cavity surface-emitting lasers

〇Atsunori Tokushi¹, Naoki Shibahara¹, Shoki Arakawa¹, Taiki Kitamura¹, Tetsuya Takeuchi¹, Motoaki Iwaya¹, Satoshi Kamiyama¹ (1.Meijo Univ.)

Keywords:

vertical-cavity surface-emitting lasers,VCSEL

これまでに我々は、波長418nmのGaN面発光レーザー(VCSEL)の電力変換効率として26%を報告した。この時、投入電力の約半分が電気的損失になっており、電力変換効率向上には電圧低減が必須である。本研究では、まず、我々のGaN VCSELの素子抵抗の内訳を検討した。その後、この抵抗の主な原因と考えられる、VCSEL特有の横方向電流注入における抵抗低減を検討した。