講演情報
[8p-N301-18]GaN面発光レーザーの高効率化に向けた素子抵抗の低減
〇禿子 温教1、柴原 直暉1、荒川 将輝1、北村 太希1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1、上山 智1 (1.名城大理工)
キーワード：
面発光レーザー、VCSEL
これまでに我々は、波長418nmのGaN面発光レーザー(VCSEL)の電力変換効率として26%を報告した。この時、投入電力の約半分が電気的損失になっており、電力変換効率向上には電圧低減が必須である。本研究では、まず、我々のGaN VCSELの素子抵抗の内訳を検討した。その後、この抵抗の主な原因と考えられる、VCSEL特有の横方向電流注入における抵抗低減を検討した。