[8p-N301-1~19] 15.4 III-V-group nitride crystals

2:45 PM - 3:00 PM JST(5:45 AM - 6:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[8p-N301-6] Epitaxial growth of red GaInN-based multi quantum shells on porous AlGaN DBR substrates for improving optical properties

〇Aoi Nakagawa¹, Weifang Lu², Haruki Hotta¹, Takuya Takahashi¹, Koki Yamada¹, Satoshi Kamiyama¹, Tetsuya Takeuchi¹, Motoaki Iwaya¹ (1.Meijo Univ., 2.Xiamen Univ.)

Keywords:

nanopyramids,Porous DBR,red GaInN-based LED

本研究では、GaInN系赤色量子殻の狭線化を目的に、Porous DBR基板上への結晶成長を行った。良好な結晶性とCLパンクロマティック像では発光面積の拡大が確認され、CLスペクトルの半値全幅は80 nmから30 nmに低減し、強度は1.2倍に向上した。