講演情報

14:45 〜 15:00奨励賞エントリー

[8p-N301-6]光学特性向上を目的としたPorous AlGaN DBR上への赤色GaInN系量子殻のエピタキシャル成長

〇中川碧¹、Weifang Lu²、堀田陽生¹、高橋拓也¹、山田航己¹、上山智¹、竹内哲也¹、岩谷素顕¹ (1.名城大学、2.厦門大学)

ナノピラミッド、Porous DBR、赤色GaInN系LED

本研究では、GaInN系赤色量子殻の狭線化を目的に、Porous DBR基板上への結晶成長を行った。良好な結晶性とCLパンクロマティック像では発光面積の拡大が確認され、CLスペクトルの半値全幅は80 nmから30 nmに低減し、強度は1.2倍に向上した。