Presentation Information
[8p-N301-7]Optimization of n-GaN Nanowire Growth using a Face-Down MOVPE System
〇(M1)Koki Yamada1, Seiji Ishimoto2, Naoto Fukami1, Aoi Nakagawa1, Haruki Hotta1, Takuya Takahashi1, Satoshi Kamiyama1, Tetsuya Takeuchi1, Motoaki Iwaya1 (1.Meijo Univ., 2.E&E co.ltd)
Keywords:
nano wire,semiconductor laser,multi-quantum shell
本研究では、コアシェル型GaNナノワイヤ(NW)を用いたLDの発振に向け、フェースダウン式MOVPE装置を用いて、n-GaN NW成長中に発生する島状成長・異常成長を低減することを目的とした。島状成長は成長条件によって制御でき、異常成長は成長条件よりも炉内の環境などに依存することが判明した。