講演情報
[8p-N301-7]フェースダウン式MOVPE装置によるn-GaNナノワイヤ成長の最適化
〇(M1)山田 航己1、石本 聖治2、深水 直斗1、中川 碧1、堀田 陽生1、高橋 拓也1、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1 (1.名城大理工、2.(株)E＆Eエボリューション)
キーワード：
ナノワイヤー、半導体レーザー、多重量子殻
本研究では、コアシェル型GaNナノワイヤ(NW)を用いたLDの発振に向け、フェースダウン式MOVPE装置を用いて、n-GaN NW成長中に発生する島状成長・異常成長を低減することを目的とした。島状成長は成長条件によって制御でき、異常成長は成長条件よりも炉内の環境などに依存することが判明した。