[8p-N301-1~19] 15.4 III-V-group nitride crystals

3:30 PM - 3:45 PM JST(6:30 AM - 6:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[8p-N301-8] Investigation of Mg concentration dependence during p+-GaN growth for quantum-shell devices using nanowire structures

〇Takuya Takahashi¹, Kazumasa Niwa², Aoi Nakagawa¹, Koki Yamada¹, Haruki Hotta¹, Naoto Fukami¹, Satoshi Kamiyama¹, Tetuya Takeuchi¹, Motoaki Iwaya¹ (1.Meijo Univ., 2.E&E Evolution Co., LTD.)

Keywords:

nanowire,Multi Quantum Shell Device

本研究では、n-GaN埋め込み型量子殻レーザーの高性能化を目的に、ナノワイヤ構造におけるp⁺-GaN層のc面膜厚をMgドーピング濃度で最適化した。Mg流量を低減することで膜厚増加と成長均一性向上が確認され、リーク電流を抑制しつつ発光動作を達成した。