講演情報
[8p-N301-8]ナノワイヤ構造を用いた量子殻デバイスにおけるp+-GaN成長時のMg濃度依存性の検討
〇高橋 拓也1、丹羽 一将2、中川 碧1、山田 航己1、堀田 陽生1、深水 直斗1、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1 (1.名城大学、2.(株)E＆Eエボリューション)
キーワード：
ナノワイヤ、量子殻デバイス
本研究では、n-GaN埋め込み型量子殻レーザーの高性能化を目的に、ナノワイヤ構造におけるp⁺-GaN層のc面膜厚をMgドーピング濃度で最適化した。Mg流量を低減することで膜厚増加と成長均一性向上が確認され、リーク電流を抑制しつつ発光動作を達成した。