[8p-N321-1~19] 6.2 Carbon-based thin films

5:15 PM - 5:30 PM JST(8:15 AM - 8:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[8p-N321-14] Evaluation of electron mobility in phosphorus-doped diamond synthesized with tert-butylphosphine

〇Hiromu Nakagawa¹, Riku Kawase¹, Hiroyuki Kawashima¹, Naoya Morioka^1,4, Hiromitsu Kato², Norio Tokuda³, Satoshi Yamasaki³, Masahiko Ogura², Toshiharu Makino², Norikazu Mizuochi^1,4 (1.Kyoto Univ., 2.AIST, 3.Kanazawa Univ., 4.CSRN)

Keywords:

n-type diamond,electron mobility,Hall effect

n型ダイヤモンドの高品質化は、高性能なダイヤモンド半導体デバイスの実現において重要である。n型ダイヤモンドはリンを添加して得られるが、リンの原料には安全性確保に大きなコストがかかるホスフィンが用いられていた。本研究では、安全性の高いターシャリーブチルホスフィンを用いてリン添加ダイヤモンドを合成し、ホスフィン使用時に匹敵する電子移動度が得られた。講演では、移動度のリン濃度依存性についても議論する。