[8p-N321-1~19] 6.2 Carbon-based thin films

2:15 PM - 2:30 PM JST(5:15 AM - 5:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[8p-N321-4] Investigation of the two-step growth process for heteroepitaxial diamond on Ir/sapphire substrates

〇Kouki Mochizuki¹, Osamu Maida¹, Seong-Woo Kim², Jeffery Ang², Shuhei Ichikawa¹, Kazunobu Kojima¹ (1.Osaka Univ., 2.Orbray Co., Ltd.)

Keywords:

heteroepitaxial diamond

Ir/sapphire基板上への(001)面ダイヤモンドの成長において、初期成長時にのみ窒素を添加し、その後アンドープ条件下で成長を継続する二段階成長プロセスを導入し、大面積アンドープ単結晶の作製を試みた。ラマン分光およびカソードルミネッセンス分光による評価の結果、アンドープ層では結晶性の向上が確認され、本成長手法が高品質ダイヤモンドの作製に有効であることが示された。