[8p-N321-1~19] 6.2 カーボン系薄膜

14:15 〜 14:30奨励賞エントリー

[8p-N321-4] Ir/sapphire基板上ヘテロエピタキシャルダイヤモンドにおける二段階成長プロセスの検討

〇望月 梧生¹、毎田 修¹、金 聖祐²、アン ジェフリ²、市川 修平¹、小島 一信¹ (1.阪大院工、2.Orbray(株))

キーワード：

ヘテロエピタキシャルダイヤモンド

Ir/sapphire基板上への(001)面ダイヤモンドの成長において、初期成長時にのみ窒素を添加し、その後アンドープ条件下で成長を継続する二段階成長プロセスを導入し、大面積アンドープ単結晶の作製を試みた。ラマン分光およびカソードルミネッセンス分光による評価の結果、アンドープ層では結晶性の向上が確認され、本成長手法が高品質ダイヤモンドの作製に有効であることが示された。