[8p-N321-1~19] 6.2 Carbon-based thin films

2:30 PM - 2:45 PM JST(5:30 AM - 5:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[8p-N321-5] Improved Quality of Ir Buffer Layer by Sapphire Substrate Misorientation for Large-Area Diamond Wafer Growth

〇(D)Masahiro Tsuji¹, Masanori Eguchi², Saha Niloy Chandra¹, Makoto Kasu^1,3 (1.Saga Univ., 2.Synchrotron Research center, Saga Univ., 3.Diamond Semiconductor Co., Ltd)

Keywords:

diamond,Substrate for growth,Sapphire

大口径3インチ径のダイヤモンド成長用イリジウム/サファイア基板を作製した。断面TEM像よりジャスト基板上のIr膜では表面に対し54.5°の角度の界面が[11-1]で、[11-2]方向（54.7°）に相当する双晶帯を確認した。しかし、微傾斜基板上のIr膜は双晶帯が見られず微傾斜基板上ではIr膜のステップバンチングにより双晶帯の発生が抑制されることでIr膜の高品質化することがわかった。