講演情報
[8p-N321-5]大口径ダイヤモンド成長用Ir/サファイア基板の基板微傾斜によるIr膜高品質化のメカニズムの解明
〇(D)辻 政裕1、江口 正徳2、サハ ニロイ チャンドラ1、嘉数 誠1,3 (1.佐賀大院理工、2.佐賀大シンクロトロン、3.(株)ダイヤモンドセミコンダクター)
キーワード：
ダイヤモンド、成長基板、サファイア
大口径3インチ径のダイヤモンド成長用イリジウム/サファイア基板を作製した。断面TEM像よりジャスト基板上のIr膜では表面に対し54.5°の角度の界面が[11-1]で、[11-2]方向（54.7°）に相当する双晶帯を確認した。しかし、微傾斜基板上のIr膜は双晶帯が見られず微傾斜基板上ではIr膜のステップバンチングにより双晶帯の発生が抑制されることでIr膜の高品質化することがわかった。