[8p-N321-1~19] 6.2 Carbon-based thin films

3:00 PM - 3:15 PM JST(6:00 AM - 6:15 AM UTC)

[8p-N321-6] [The 58th Young Scientist Presentation Award Speech] Formation of Diamond Trench {111} Flat Sidewalls for Ultra-Low-Loss MOSFETs

〇Masatsugu Nagai¹, Tsubasa Matsumoto², Satoshi Yamasaki², Norio Tokuda², Moriyoshi Haruyama¹, Yukako Kato¹, Hironori Yoshioka¹, Hitoshi Umezawa¹, Hiromitsu Kato¹, Masahiko Ogura¹, Daisuke Takeuchi¹, Yoshiyuki Miyamoto¹, Toshiharu Makino¹ (1.AIST, 2.Kanazawa Univ.)

Keywords:

Diamond,Etching,Nickel

究極の低損失MOSFETとして期待されるトレンチ型反転層チャネルダイヤモンドMOSFETの実現に向け、{111}平坦側面を有するダイヤモンドトレンチの形成技術が求められている。我々は、独自の熱化学エッチング技術の最適化を通じて、上記トレンチの形成に成功した。本成果は、当該MOSFETの実現に資する極めて重要な知見と技術的基盤を提供するものである。