講演情報
[8p-N321-6][第58回講演奨励賞受賞記念講演] 超低損失MOSFET実現に資するダイヤモンドトレンチ{111}平坦側面の形成
〇長井 雅嗣1、松本 翼2、山崎 聡2、徳田 規夫2、春山 盛善1、加藤 有香子1、吉岡 裕典1、梅沢 仁1、加藤 宙光1、小倉 政彦1、竹内 大輔1、宮本 良之1、牧野 俊晴1 (1.産総研、2.金沢大)
キーワード：
ダイヤモンド、エッチング、ニッケル
究極の低損失MOSFETとして期待されるトレンチ型反転層チャネルダイヤモンドMOSFETの実現に向け、{111}平坦側面を有するダイヤモンドトレンチの形成技術が求められている。我々は、独自の熱化学エッチング技術の最適化を通じて、上記トレンチの形成に成功した。本成果は、当該MOSFETの実現に資する極めて重要な知見と技術的基盤を提供するものである。