[8p-N322-1~17] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

5:45 PM - 6:00 PM JST(8:45 AM - 9:00 AM UTC)

[8p-N322-15] Modeling and analysis of fully-recessed Ohmic contact resistances to AlGaN/GaN heterostructures

〇kazuya Uryu^1,2, Junewoo Choi², Yuchen Deng², Toshi-kazu Suzuki² (1.Advantest Corp., 2.JAIST)

Keywords:

AlGaN/GaN,Ohmic contact,recess etching

AlGaN/GaN ヘテロ構造に対するオーミック接触抵抗低減を企図し, 完全リセスオーミック接触が検討されている. その接触抵抗には, 2 次元電子ガスと直接接触する側壁金属と, オーバーラップ金属からの寄与があるが, 両者を分離した評価は行われていない. 本研究では, AlGaN/GaN ヘテロ構造に対する完全リセスオーミック接触抵抗を伝送線路モデルに基づいて解析することで, 側壁金属とオーバーラップ金属の寄与を分離して評価した.