[8p-N322-1~17] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

17:45 〜 18:00

[8p-N322-15] AlGaN/GaNヘテロ構造に対する完全リセスオーミック接触抵抗のモデル解析

〇瓜生 和也^1,2、Choi Junewoo²、Deng Yuchen²、鈴木 寿一² (1.アドバンテスト、2.北陸先端大)

キーワード：

AlGaN/GaN、オーミック接触、リセスエッチング

AlGaN/GaN ヘテロ構造に対するオーミック接触抵抗低減を企図し, 完全リセスオーミック接触が検討されている. その接触抵抗には, 2 次元電子ガスと直接接触する側壁金属と, オーバーラップ金属からの寄与があるが, 両者を分離した評価は行われていない. 本研究では, AlGaN/GaN ヘテロ構造に対する完全リセスオーミック接触抵抗を伝送線路モデルに基づいて解析することで, 側壁金属とオーバーラップ金属の寄与を分離して評価した.