[8p-N322-1~17] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

6:00 PM - 6:15 PM JST(9:00 AM - 9:15 AM UTC)

[8p-N322-16] Effect of AlN interlayer in AlGaN/GaN heterostructures on both the reduction of strain-induced defects in GaN channel and the improvement of two-dimensional carrier transport

〇Masatomo Sumiya¹, Yoshitaka Nakano², Yasutaka Imanaka¹ (1.NIMS, 2.Chubu Univ.)

Keywords:

AlGaN/GaN heterostructure,strain-induced defect,carrier transport

AlGaN/GaNヘテロ界面近傍の欠陥密度分布を測定したところ、１）AlGaN障壁層からの歪により界面近傍のGaNチャネル層の伝導帯近傍に欠陥準位が誘起されること、２）その準位がキャリア散乱に寄与すること、３）AlNインタ層が歪誘起欠陥形成を抑えるため2DEG移動度が向上することがわかったので報告する。