講演情報
[8p-N322-16]AlGaN/GaNヘテロ界面でのAlNインタ層の効果 ―歪誘起欠陥形成の抑制による2DEG移動度の向上―
〇角谷 正友1、中野 由崇2、今中 康貴1 (1.物材機構、2.中部大)
キーワード：
AlGAN/GaNヘテロ構造、歪誘起欠陥、キャリア輸送特性
AlGaN/GaNヘテロ界面近傍の欠陥密度分布を測定したところ、１）AlGaN障壁層からの歪により界面近傍のGaNチャネル層の伝導帯近傍に欠陥準位が誘起されること、２）その準位がキャリア散乱に寄与すること、３）AlNインタ層が歪誘起欠陥形成を抑えるため2DEG移動度が向上することがわかったので報告する。