[8p-N324-1~13] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

4:30 PM - 4:45 PM JST(7:30 AM - 7:45 AM UTC)

[8p-N324-12] Development of high-Q and high-frequency piezoelectric thin-film resonators

〇Yurina Amamoto¹, Koji Terumoto¹, Kenji Goda¹, Noriyuki Shimoji¹, Takashi Naiki¹, Takashi Kimura¹, Yoshiaki Oku¹ (1.Rohm Co., Ltd.)

Keywords:

resonator,MEMS

Siと圧電薄膜を組み合わせたTPoS (Thin film Piezoelectric on Si) 構造のMEMS共振子はSiの高い機械特性により圧電薄膜単体からなる共振子と比較して高い性能指数 (Q値) を実現することができる。今回我々のグループでは単結晶AlN薄膜を利用したTPoS構造MEMS共振子の高周波化と共振子形状の最適化によるQ値向上を目指した。