[8p-N324-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

16:30 〜 16:45

[8p-N324-12] 圧電薄膜共振子の高Q値・高周波化に向けた開発

〇天本 百合奈¹、照元 幸次¹、合田 賢司¹、下地 規之¹、内貴 崇¹、木村 俊¹、奥 良彰¹ (1.ローム(株))

キーワード：

共振子、MEMS

Siと圧電薄膜を組み合わせたTPoS (Thin film Piezoelectric on Si) 構造のMEMS共振子はSiの高い機械特性により圧電薄膜単体からなる共振子と比較して高い性能指数 (Q値) を実現することができる。今回我々のグループでは単結晶AlN薄膜を利用したTPoS構造MEMS共振子の高周波化と共振子形状の最適化によるQ値向上を目指した。