[8p-N324-1~13] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

2:30 PM - 2:45 PM JST(5:30 AM - 5:45 AM UTC)

[8p-N324-5] Ge nanosheet formation by selective nitrogen removal from Ge nitride films

〇(M2)Shuta Morimoto^1,2, Ryunosuke Tsuda¹, Takuji Hosoi^1,2 (1.Kwansei Gakuin Univ., 2.NIMS)

Keywords:

Ge nanosheet,Ge nitride,XPS

CMOSの微細化により2次元材料の導入が有望視されている中、Ge(111)ナノシートは2次元材料より高い電子移動度を持つ可能性が示唆されている。そこで、プラズマ窒化により形成したGeN/Ge構造で真空アニールを施すと、窒素のみが脱離しGeが固相再結晶化したという報告を基に、サファイア基板上に極薄Ge窒化膜を成膜し、熱処理で窒素のみを選択的に除去することでGe(111)ナノシートの形成を試みた。