講演情報
[8p-N324-5]Ge窒化膜からの選択的窒素除去によるGeナノシート形成
〇(M2)森本 修太1,2、津田 龍之介1、細井 卓治1,2 (1.関学大院理工、2.物材機構)
キーワード：
Geナノシート、Ge窒化膜、XPS
CMOSの微細化により2次元材料の導入が有望視されている中、Ge(111)ナノシートは2次元材料より高い電子移動度を持つ可能性が示唆されている。そこで、プラズマ窒化により形成したGeN/Ge構造で真空アニールを施すと、窒素のみが脱離しGeが固相再結晶化したという報告を基に、サファイア基板上に極薄Ge窒化膜を成膜し、熱処理で窒素のみを選択的に除去することでGe(111)ナノシートの形成を試みた。