Presentation Information
[8p-N401-5]Consideration on atomic arrangement of epitaxial Ge0.5Sn0.5 by spatial correlation model
〇Ryo Yokogawa1,2, Kaito Shibata3, Shigehisa Shibayama3, Mitsuo Sakashita3, Masashi Kurosawa3, Osamu Nakatsuka3,4 (1.RISE, Hiroshima Univ., 2.Grad. Sch. of Eng., Hiroshima Univ., 3.Grad. Sch. of Eng., Nagoya Univ., 4.IMaSS, Nagoya Univ.)
Keywords:
GeSn,Raman spectroscopy
GeSnはSn組成増大に伴いバンドギャップが連続的に減少することから次世代受光素子、量子情報デバイスへの応用に期待されている。GaSb基板を用いることでSn組成50%超のGeSnエピタキシャル成長を実現しており、特徴的な秩序結合構造の存在が示唆されている。Sn組成50%超のGeSn膜の原子配列を詳細に理解すべく、我々はラマン分光分析に着目し、空間相関モデルを適用して解析を検討したので報告する。