講演情報
[8p-N401-5]空間相関モデルを用いたGe0.5Sn0.5エピタキシャル膜の原子配列に関する考察
〇横川 凌1,2、柴田 海斗3、柴山 茂久3、坂下 満男3、黒澤 昌志3、中塚 理3,4 (1.広大RISE、2.広大院先進理工、3.名大院工、4.名大未来研)
キーワード：
GeSn、ラマン分光法
GeSnはSn組成増大に伴いバンドギャップが連続的に減少することから次世代受光素子、量子情報デバイスへの応用に期待されている。GaSb基板を用いることでSn組成50%超のGeSnエピタキシャル成長を実現しており、特徴的な秩序結合構造の存在が示唆されている。Sn組成50%超のGeSn膜の原子配列を詳細に理解すべく、我々はラマン分光分析に着目し、空間相関モデルを適用して解析を検討したので報告する。