[8p-P10-1~49] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[8p-P10-12] Basic research on the formation and annealing of gallium oxide on sapphire substrates

〇Fuminobu Imaizumi¹, Takumi Morita¹ (1.NIT, Oyama)

Keywords:

Gallium oxide,Annealing temperature,Sputtering

a面およびc面サファイア基板上に酸化ガリウム薄膜を成膜し、熱処理後の結晶配向性について詳細に検討した。実験では、RFスパッタリング法を用いてサファイア基板上に酸化ガリウム薄膜を成膜した。