[8p-P10-1~49] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[8p-P10-12] サファイア基板上への酸化ガリウム形成とアニールに関する基礎研究

〇今泉 文伸¹、森田 拓海¹ (1.小山高専)

キーワード：

酸化ガリウム、アニール温度、スパッタリング

a面およびc面サファイア基板上に酸化ガリウム薄膜を成膜し、熱処理後の結晶配向性について詳細に検討した。実験では、RFスパッタリング法を用いてサファイア基板上に酸化ガリウム薄膜を成膜した。