[8p-P10-1~49] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[8p-P10-16] SIMS Analysis of Homoepitaxial MgO Films Grown by Mist CVD Method

〇Kotaro Ogawa¹, Kyosuke Tanaka¹, Tomohiro Yamaguchi¹, Tohru Honda¹, Takeyoshi Onuma¹ (1.Kogakuin Univ.)

Keywords:

MgZnO,Mist CVD,Ultrawide Bandgap Semiconductor

岩塩構造酸化マグネシウム亜鉛（RS-Mg_xZn_1-xO）は、MgOに由来する広いバンドギャップを活かし、187～223 nmの深紫外～真空紫外領域における発光が実証されており、次世代光源材料として期待されている。本講演では、将来的なミストCVD法を基盤とした不純物ドーピング技術の構築を念頭に、MgOホモエピタキシャル成長中に混入する不純物の評価結果について報告する。