[8p-P10-1~49] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[8p-P10-16] ミストCVD法により成長したMgOホモエピタキシャル薄膜のSIMS分析

〇小川 広太郎¹、田中 恭輔¹、山口 智広¹、本田 徹¹、尾沼 猛儀¹ (1.工学院大)

キーワード：

酸化マグネシウム亜鉛、ミスト化学気相堆積、超ワイドギャップ半導体

岩塩構造酸化マグネシウム亜鉛（RS-Mg_xZn_1-xO）は、MgOに由来する広いバンドギャップを活かし、187～223 nmの深紫外～真空紫外領域における発光が実証されており、次世代光源材料として期待されている。本講演では、将来的なミストCVD法を基盤とした不純物ドーピング技術の構築を念頭に、MgOホモエピタキシャル成長中に混入する不純物の評価結果について報告する。