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[8p-P10-17]Investigation of buffer layers for the Growth of ε (κ)-Ga₂O₃ thin films by Mist CVD

〇Ryosuke Ohashi¹, Tatsuki Okada¹, Abhay Kumar Mondal¹, Htet Su Wai¹, Toshiyuki Kawaharamura^1,2 (1.Sys. Eng, 2.Res. Inst)

Keywords:

Mist CVD,Gallium oxide,NiO

本研究では, ミストCVD法を用いたε型酸化ガリウムの作製に適したバッファー層の検討を行った. 材料として格子定数が近い酸化ニッケルを採用した. ミストCVD法にてSiC<111>基板上に酸化ニッケル薄膜を作製し, EDA支援濃度の違いによる特性変化を調査した. 実験結果から, EDA支援濃度や, バッファー層の成膜温度により, ε型酸化ガリウム成長が変化していることなどが確認された.

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[8p-P10-17]Investigation of buffer layers for the Growth of ε (κ)-Ga2O3 thin films by Mist CVD

Keywords:

[8p-P10-17]Investigation of buffer layers for the Growth of ε (κ)-Ga₂O₃ thin films by Mist CVD