講演情報
[8p-P10-17]ミストCVD法によるε (κ)-Ga2O3薄膜作製に向けたバッファー層の検討
〇大橋 亮介1、岡田 達樹1、モンダル アバイ・クマール1、ワイス テッ1、川原村 敏幸1,2 (1.高知工科大シス工、2.総合研究所)
キーワード：
ミストCVD、酸化ガリウム、酸化ニッケル
本研究では, ミストCVD法を用いたε型酸化ガリウムの作製に適したバッファー層の検討を行った. 材料として格子定数が近い酸化ニッケルを採用した. ミストCVD法にてSiC<111>基板上に酸化ニッケル薄膜を作製し, EDA支援濃度の違いによる特性変化を調査した. 実験結果から, EDA支援濃度や, バッファー層の成膜温度により, ε型酸化ガリウム成長が変化していることなどが確認された.