Presentation Information
[8p-P10-19]Growth of single-crystalline ZnO layer by UHV sputter epitaxy method (III)
〇Haruto Ikeda1, Kaito Horikoshi1, Keisuke Yoshida1, Hiroyuki Shinoda1, Nobuki Mutsukura1 (1.Tokyo Denki Univ.)
Keywords:
ZnO,sputtering,thin film
我々は，超高真空（UHV）スパッタリング装置を用いて，サファイア基板上にZnO層のエピタキシャル成長を行っている．前回，O2/Ar 混合ガスを用いて，O2ガス混合比0，2及び4％において成長したZnO層について検討を行った．その結果，O2ガス混合比2％で成長したZnO層の表面において平坦性の向上が見られ，膜厚の増加に伴い，結晶性の向上も見られた．そこで今回は，膜厚を更に増加させてZnO層の成長を行い，得られた結晶性等について検討を行ったので報告する．