講演情報
[8p-P10-19]UHVスパッタエピタキシー法によるZnO単結晶層の成長（Ⅲ）
〇池田 陽登1、堀越 快人1、吉田 圭祐1、篠田 宏之1、六倉 信喜1 (1.東京電機大工)
キーワード：
酸化亜鉛、スッパタリング、薄膜
我々は，超高真空（UHV）スパッタリング装置を用いて，サファイア基板上にZnO層のエピタキシャル成長を行っている．前回，O2/Ar 混合ガスを用いて，O2ガス混合比0，2及び4％において成長したZnO層について検討を行った．その結果，O2ガス混合比2％で成長したZnO層の表面において平坦性の向上が見られ，膜厚の増加に伴い，結晶性の向上も見られた．そこで今回は，膜厚を更に増加させてZnO層の成長を行い，得られた結晶性等について検討を行ったので報告する．