Presentation Information
[8p-P10-20]Electrical properties of β-Ga2O3 homoepitaxial films grown by PLD
〇Kazuki koreishi1, Takuto Soma1, Kohei Yoshimatsu1, Akira Ohtomo1 (1.Science Tokyo, Dept. Chem. Sci. Eng.)
Keywords:
wide bandgap semiconductor,pulsed-laser deposition,gallium oxide
酸素ラジカル支援パルスレーザ堆積法による，β-Ga2O3ホモエピタキシャル成長の条件を検討した．レーザ強度と酸素分圧を最適化した結果，キャリア濃度n = 5.0×1018 cm−3において移動度μ = 50 cm2 V−1 s−1が得られた．このμは，同じくn ~ 5×1018 cm−3を持つ薄膜と比較すると，プラズマ支援分子線エピタキシー法で得られる値には及ばないものの，O2雰囲気下のPLD法で得られる値よりは高かった．