[8p-P10-1~49] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[8p-P10-20] PLD法により成長したβ-Ga₂O₃ホモエピタキシャル薄膜の電気特性

〇是石 和樹¹、相馬 拓人¹、吉松 公平¹、大友 明¹ (1.科学大物質理工)

キーワード：

ワイドバンドギャップ半導体、パルスレーザ堆積法、酸化ガリウム

酸素ラジカル支援パルスレーザ堆積法による，β-Ga₂O₃ホモエピタキシャル成長の条件を検討した．レーザ強度と酸素分圧を最適化した結果，キャリア濃度n = 5.0×10¹⁸ cm⁻³において移動度μ = 50 cm² V⁻¹ s⁻¹が得られた．このμは，同じくn ~ 5×10¹⁸ cm⁻³を持つ薄膜と比較すると，プラズマ支援分子線エピタキシー法で得られる値には及ばないものの，O₂雰囲気下のPLD法で得られる値よりは高かった．