Presentation Information
[8p-P10-41]Fabrication and characterization of top-gate InGaO thin-film transistors using aqueous precursor solutions with an excimer light irradiation processing
〇Hideya Ochiai1, Kazuki Ueda1, Takuya Nomura1, Akira Fujimoto1, Hideo Wada1, Masatoshi Koyama1, Akihiko Fujii1, Akihiro Shimizu2, Noritaka Takezoe2, Hiroyasu Ito2, Toshihiko Maemoto1 (1.Osaka Inst. of Tech., 2.Ushio Inc.)
Keywords:
oxide semiconductor,thin-film transistors,indium oxide
これまで我々は，炭素を含まない水系前駆体溶液と深紫外エキシマ光を組み合わせた溶液プロセスにより薄膜トランジスタ（TFT）を作製し，その特性評価から本プロセスの有効性を実証してきた．今回は，Ga添加量と熱処理温度を変化させながらIn2O3およびIGO TFTを作製・評価した．その結果，Ga添加によってアモルファス化と特性の安定化が促進され，IGO TFTでは高いOn/Off比と電界移動度が得られた．