講演情報
[8p-P10-41]水系前駆体溶液とエキシマ光照射プロセスを用いたトップゲート型InGaO薄膜トランジスタの作製と特性評価
〇落合 秀哉1、上田 一輝1、野村 卓矢1、藤元 章1、和田 英男1、小山 政俊1、藤井 彰彦1、清水 昭宏2、竹添 法隆2、伊藤 寛泰2、前元 利彦1 (1.大阪工大 ナノ材研、2.ウシオ電機（株）)
キーワード：
酸化物半導体、薄膜トランジスタ、酸化インジウム
これまで我々は，炭素を含まない水系前駆体溶液と深紫外エキシマ光を組み合わせた溶液プロセスにより薄膜トランジスタ（TFT）を作製し，その特性評価から本プロセスの有効性を実証してきた．今回は，Ga添加量と熱処理温度を変化させながらIn2O3およびIGO TFTを作製・評価した．その結果，Ga添加によってアモルファス化と特性の安定化が促進され，IGO TFTでは高いOn/Off比と電界移動度が得られた．