Presentation Information
[8p-P10-47]Fabrication and characterization of deep ultraviolet photodetectors using amorphous GaOx thin-films deposited on quartz glass substrates
〇Shunsuke Enoki1, Iori Yamasaki1, Misaki Nishikawa1, Masatoshi Koyama1, Akihiko Fujii1, Toshihiko Maemoto1 (1.Osaka Inst. of Tech.)
Keywords:
wide gap semiconductor
本研究では，深紫外線受光デバイス応用を目指し，ミストCVD法によって合成石英基板上に成膜した非晶質GaOx薄膜に300~1000℃で成膜後アニール（PDA）処理を行い，PDA処理が表面，結晶構造，光学特性に与える影響について評価を行った. また, これらの試料を用いてMSM型受光デバイスを作製し, 紫外線応答特性を評価した結果について報告する.