講演情報
[8p-P10-47]合成石英基板上に成膜した非晶質GaOx薄膜を用いた深紫外線検出器の作製と特性評価
〇榎 駿介1、山崎 伊織1、西川 未咲1、小山 政俊1、藤井 彰彦1、前元 利彦1 (1.大阪工業大学)
キーワード：
ワイドギャップ半導体
本研究では，深紫外線受光デバイス応用を目指し，ミストCVD法によって合成石英基板上に成膜した非晶質GaOx薄膜に300~1000℃で成膜後アニール（PDA）処理を行い，PDA処理が表面，結晶構造，光学特性に与える影響について評価を行った. また, これらの試料を用いてMSM型受光デバイスを作製し, 紫外線応答特性を評価した結果について報告する.