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[8p-P10-48]Effect of Applying Voltage to the Back of the Substrate on Current Flow in ZnGa2O4 Polycrystalline Thin Films

〇(M1)Yuya Oguma1, Reiya Kase1, Tomoki Iitsuka1, Yasuharu Ohgoe1, Kazunuki Yamamoto2, Satoshi Ishii1 (1.Tokyo Denki Univ., 2.Chiba Univ.)

Keywords:

ZnGa2O4,Polycrystalline thin film,Electric field effect

我々は,これまで水熱合成したZnGa2O4(ZGO)ナノ粒子を用いて多結晶薄膜を作製し,その電気特性を評価してきた.本研究では,ZGO薄膜のFETへの技術応用を見据えて,基板裏面への印加電圧を掃引しながら薄膜中を流れる電流を測定した.その結果,薄膜中の電流が掃引電圧に応じて変化し,ヒステリシスが生じることを確認した.これは,薄膜と基板との界面あるいは電極との界面近傍の電荷が移動し,ZGO内部の電位を変化させている可能性を示唆している.