講演情報
[8p-P10-48]基板裏面への電圧印加がZnGa2O4多結晶薄膜を流れる電流に及ぼす影響
〇(M1)小熊 佑弥1、加瀬 伶也1、飯塚 知己1、大越 康晴1、山本 和貫2、石井 聡1 (1.東京電機大、2.千葉大院工)
キーワード：
ZnGa2O4、多結晶薄膜、電界効果
我々は，これまで水熱合成したZnGa2O4（ZGO）ナノ粒子を用いて多結晶薄膜を作製し，その電気特性を評価してきた．本研究では，ZGO薄膜のFETへの技術応用を見据えて，基板裏面への印加電圧を掃引しながら薄膜中を流れる電流を測定した．その結果，薄膜中の電流が掃引電圧に応じて変化し，ヒステリシスが生じることを確認した．これは，薄膜と基板との界面あるいは電極との界面近傍の電荷が移動し，ZGO内部の電位を変化させている可能性を示唆している．