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[8p-P10-6]Mist CVD Growth of κ-(In_xGa_1-x)₂O₃ on (111) 3C-SiC/Si templates

〇(M1)Misaki Nishikawa¹, Shunsuke Enoki¹, Yuma Tanaka¹, Masatoshi Koyama¹, Akihiko Fujii¹, Toshihiko Maemoto¹ (1.Osaka Inst. of Tech.)

Keywords:

Mist CVD,(InGa)2O3,Ga2O3

κ-Ga₂O₃ は自発分極を有することが知られており，分極特性をヘテロ構造デバイス応用を目指したAl₂O₃やIn₂O₃との混晶化が検討されている．本研究では，ミストCVD法を用いて，(111) 3C-SiC/Siテンプレート上にκ-(In_xGa_1-x)₂O₃薄膜の結晶成長を試み，成長条件に対するIn組成，結晶構造，基板との結晶の配向関係の評価を行った結果について報告する.

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[8p-P10-6]Mist CVD Growth of κ-(InxGa1-x)2O3 on (111) 3C-SiC/Si templates

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