[8p-P10-1~49] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[8p-P10-6] ミストCVD法による (111) 3C-SiC/Siテンプレート上κ-(In_xGa_1-x)₂O₃の成長

〇(M1)西川 未咲¹、榎 駿介¹、田中 悠馬¹、小山 政俊¹、藤井 彰彦¹、前元 利彦¹ (1.大阪工大)

キーワード：

ミストCVD、κ-(InGa)2O3、κ-Ga2O3

κ-Ga₂O₃ は自発分極を有することが知られており，分極特性をヘテロ構造デバイス応用を目指したAl₂O₃やIn₂O₃との混晶化が検討されている．本研究では，ミストCVD法を用いて，(111) 3C-SiC/Siテンプレート上にκ-(In_xGa_1-x)₂O₃薄膜の結晶成長を試み，成長条件に対するIn組成，結晶構造，基板との結晶の配向関係の評価を行った結果について報告する.