[9a-N105-1~10] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

9:15 AM - 9:30 AM JST(12:15 AM - 12:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[9a-N105-2] Depth profiling of the electronic structure of Bulk sigle-crystalline InGaZnO₄ using hard X-ray photoemission spectroscopy

〇Gimpei Tabata¹, Ryoya Yamagishi¹, Yasutaka Sawata¹, Yusuke Kawamura¹, Yuto Uruma¹, Tadahito Inoue¹, Kento Ishigaki¹, Naoki Kase¹, Akira Yasui², Jiayi Tang², Nobuaki Miyakawa¹, Tomohiko Saitoh¹ (1.Tokyo Univ. of Sci., 2.JASRI)

Keywords:

wide bandgap semiconductor,photoemission spectroscopy,band bending

透明導電性酸化物の一つであるInGaZnO₄バルク単結晶のas-grown試料に対して、硬X線光電子分光による電子構造の深さ方向分析を行った。測定はSPring-8 BL09XUにおいて、光電子放出角度（TOA）10°−60°で行い、内殻準位のピーク位置を各TOAで決定して、ピークシフトを評価した。