[9a-N105-1~10] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

9:15 〜 9:30奨励賞エントリー

[9a-N105-2] 硬X線光電子分光によるInGaZnO₄バルク単結晶の電子構造の深さ分析

〇田畑 銀平¹、山岸 稜也¹、澤田 晏伯¹、河村 優介¹、漆間 由都¹、井上 禎人¹、石垣 賢卯¹、加瀬 直樹¹、保井 晃²、唐 佳藝²、宮川 宣明¹、齋藤 智彦¹ (1.東理大、2.JASRI)

キーワード：

ワイドギャップ半導体、光電子分光、バンドベンディング

透明導電性酸化物の一つであるInGaZnO₄バルク単結晶のas-grown試料に対して、硬X線光電子分光による電子構造の深さ方向分析を行った。測定はSPring-8 BL09XUにおいて、光電子放出角度（TOA）10°−60°で行い、内殻準位のピーク位置を各TOAで決定して、ピークシフトを評価した。