[9a-N105-1~10] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

10:00 AM - 10:15 AM JST(1:00 AM - 1:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[9a-N105-5] Oxygen Partial Pressure Dependence on Properties of p-type SnO Thin Films by Sputtering Deposition

〇Tomoki Otani¹, Masaki Ando¹, Yuta Ito^1,2, Tappei Nishihara^3,4, Atsushi Ogura^1,3 (1.School of Sci and Technol., Meiji Univ., 2.JSPS Fellow Research, 3.MREL, 4.JASRI)

Keywords:

p-type SnO,thin films

SnOはn型酸化物半導体を補完するp型材料として次世代デバイスへの応用が期待されている。安定かつ優れた電気特性を持つSnO薄膜の成膜を可能にすべく、成膜条件の最適化が必要である。本研究では、大面積かつ均一な成膜が可能なスパッタリング法を用い、成膜時の酸素分圧をパラメータとして化学結合や結晶性、電気特性への影響を評価した。